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mos管功率损耗与二极管损耗有相关联吗？
2021-11-17
一般来说，功率MOS管与二极管作为电子产品设计、电工电路系统中的基本部件，其电子元器件自身带有导电电阻与工作环境的极限参数，那么，电子工程师们是如何把握电子元器件的功耗、使用寿命的性能品质，以及功率mos管和二极管损耗方面的呢？
电子产品设计人员、工程师助理们需要考虑到两种不同的情况，即电子产品工作在最坏的状态和器件工作环境下的真实情况。从电子元器件的采购品牌、选型开始，为电路产品选择正确的器件，再根据实际的应用在电子元器件规格书上面找到接近、吻合的技术参数值，比如：MOS管沟道类型的选择、电流和电压数值的选择。
二极管开关的损耗其实也是一个很重要的指标。电子元器件工作电路上的自身发热损坏，外加直流功率而导致的损耗引起的发热，都可一定程度上造成瞬时、局部发热而导致破坏。比如：封装器件的半导体结与环境之间的热阻，内置二极管破坏的情况下，计算功率MOS管导通损耗、计算系统的散热要求等。
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